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韩国专家警告:中韩HBM技术差距仅2年,难以高枕无忧!
9月28日消息,韩国半导体业界对中国在高带宽存储器(HBM)领域的追赶速度愈发警惕。多位韩国专家判断,中韩HBM技术差距被估算在<em>2年至6
2026-09-28
三星推出2nm HBM5,目标速度提升50%超越HBM4E
7月27日消息,三星在HBM(高带宽内存)领域持续发力,这次的目标是下一代 HBM5。三星电子相关负责人在技术发声中表示,HBM5预计需要在HBM4
2026-07-27
SK海力士CEO预测2027年HBM价格将翻倍
7月12日消息,据报道,SK海力士首席执行官郭鲁正(Kwak Noh-jung)近日发出预判:<strong>2027年将成为存储行业历史上供应最为紧张的一年<
2026-07-12
韩日联合攻坚!DRAM芯片竖放技术解锁AI内存散热难题
7月11日消息,韩国和日本研究人员在2026年IEEE JSAP VLSI技术与电路研讨会上,同时提出了两种全新的HBM(高带宽内存)方案,核心思路惊人
2026-07-11
"浦项科技大学成功实现14微米叠十层芯片堆叠,密度达到HBM四倍"
7月8日消息,浦项科技大学研究团队近日宣布开发出超薄半导体芯片稳定堆叠技术。该项目由机械工程系金锡教授、金宇铉博士生及韩国工业技术研
2026-07-08
HBM存储竞赛升级:美光投资6303亿元扩建日本广岛晶圆厂分析
7月5日消息,据报道,美光科技日前在日本广岛正式启动晶圆厂的扩建工程。项目总投资约1 5万亿日元(约合6303亿元人民币),用于生产高带宽
2026-07-05
高通推出HBC近内存计算架构:存储能效提升至HBM的6倍
6月25日消息,高通在2026投资者日上发布了高带宽计算(<strong>High-Bandwidth Compute< strong>,<abbr title="HBC">HBC< abbr>)架构,
2026-06-25
SK海力士参展HPED 2026:展示HBM4和CXL 3.2内存技术
6月20日消息,SK海力士于6月15日至18日参加了在美国拉斯维加斯威尼斯人会议中心举行的<H1>HPE Discover Las Vegas 2026< H1>(HPED 20
2026-06-21
黄仁勋随手带的HBM薯片销量暴涨766%,意想不到的爆款秘诀
6月9日消息,近日,英伟达创始人黄仁勋开启访韩行程,除了接连会见韩国科技行业与商界的核心人士外,还在社交平台上制造了不少轻松话题。其
2026-06-09
HBM堆到20层引发热量激增,SK海力士、三星、美光开启芯片散热技术竞赛
6月8日消息,英伟达最新AI平台Vera Rubin已进入量产阶段,SK海力士、三星和美光之间的竞争正由层数比拼转向技术攻坚,芯片内部的热管理已
2026-06-08
存储价格难再暴跌?黄仁勋预警内存短缺持续数年,价格或将上涨
6月8日消息,在短短一年多的时间里,受AI人工智能产业爆发式增长的强力拉动,全球存储芯片价格已连续翻了数倍。尽管外界一直有不少唱衰存储
2026-06-08
内存持续短缺:增产缓慢加剧供应危机
SK 海力士是今年唯一一家达成增产的内存厂商,旗下清州工厂已于今年 2 月启动 HBM(高带宽内存)量产;其它厂商则处于观望阶段,或仍在
2026-04-19
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