三星推出2nm HBM5，目标速度提升50%超越HBM4E

7月27日消息，三星在HBM（高带宽内存）领域持续发力，这次的目标是下一代 HBM5。

三星电子相关负责人在技术发声中表示，HBM5预计需要在HBM4E基础上把运行速度再提升50%以上，为此三星计划在HBM5的底座芯片（Base Die）上直接导入2nm工艺。

这个底座芯片，就是HBM堆叠结构最下层、负责和GPU等外部处理器交换数据的关键逻辑芯片，从HBM4开始，底座芯片就已经从传统存储工艺切换到了更先进的代工工艺，HBM5再往前一步上2nm，说明厂商已经把底座当成决定整体性能和功耗表现的核心战场来打。

技术上，三星计划在2nm底座芯片上采用GAA晶体管结构，也就是全环绕栅极结构，同时还会继续提升TSV硅通孔的堆叠密度，为后续更高容量和更高带宽的HBM产品做准备。

换句话说，HBM5不只要更快，还要在集成度和能效上继续补短板。

回顾上一代产品，三星今年2月已经量产HBM4，5月又出样了HBM4E 12层样品，目前底座芯片用的是成熟度更高的4nm第四代工艺。

现在先发布HBM5的工艺规划，也表明三星想在下一代HBM竞争中更早把路线图讲清楚。

除了存储本身，三星这次还强调了自己的“turnkey”一体化优势，也就是从存储、代工到先进封装一起做，试图通过更早介入设计阶段，把速度、功耗、散热和良率一起优化。

这类打法在AI芯片竞争越来越激烈的当下，其实就是在抢下一代高端方案的定义权。

从更现实的角度看，这次释放的信息还有一个重要背景，那就是高端HBM需求仍很紧张。

三星一方面在推进2nm底座芯片方案，另一方面也在借HBM4、HBM4E和代工业务持续扩大客户合作，目的就是在AI算力芯片生态里站稳更靠前的位置。