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SK海力士HBM4良率突破70%!加速量产迎战三星与美光
11月13日消息,据报道,SK海力士第六代高带宽内存HBM4的良率已突破70%大关。尽管SK海力士尚未正式公布官方数据,但业界普遍认为,这一进展
2026-11-13
SK海力士HBM5散热革命:冷却元件封装技术助力热阻降低30%
11月12日消息,随着AI加速器功耗持续攀升,HBM的竞争焦点正从堆叠层数转向封装内部的散热能力。SK海力士今年5月发布的<i>iHBM< i>技术,通
2026-11-12
光刻大战开启:三星与海力士重金争夺EUV产能,推动先进DRAM扩产
11月10日消息,韩国三星电子与SK海力士正在围绕极紫外(EUV)光刻机展开交付排期的争夺战。消息人士指出,两者各自投入规模介于10万亿至20
2026-11-10
韩国DRAM市场垄断持续:平均售价每Gb达13元,三星稳居全球第一,长鑫跃升前四
11月6日消息,市场研究机构Counterpoint Research发布的最新行业数据显示,在全球人工智能基础设施建设的热潮强力推动下,2026年第三季度
2026-11-06
三星预警存储芯片供应紧张,黄仁勋与海力士观点一致,明年短缺或加剧
10月30日消息,三星电子在最新的财报电话会议上发出行业预警,当前全球存储芯片的供应紧张局面不仅不会在短期内得到缓解,反而预计将在2027
2026-10-30
SK海力士提条件扩大对华设备出口,压制长鑫等中国存储厂商的策略分析
10月16日消息,为了压制长鑫、长江存储等中国本土存储厂商的发展,海外存储巨头一直持续出台各类针对性限制举措。近期,韩国存储芯片巨头SK
2026-10-16
SK集团会长崔泰源出售股权,支付27.2亿元离婚赔偿款
10月15日消息,据报道,近日,戴尔创始人迈克尔·戴尔旗下的家族投资机构DFO Management收购了韩国SK集团1 34%的股份,交易金额约为4 06亿
2026-10-15
三星HBM已送样,SK海力士尚未开始样品制作!
10月8日消息,SK海力士在HBM的混合键合技术开发上正面临困难:公司的HBM样品生产尚未启动,而三星电子已经用混合键合工艺制造的HBM样品送到
2026-10-08
存储短缺加剧:三星与SK海力士内存库存不足10天供应量
9月8日消息,韩国券商KB Securities最新报告警告:三星电子与SK海力士的存储半导体库存已降至不足10天的供应量,预计明年可用货源将明显不
2026-09-08
三星与SK海力士遭遇危机 韩国计划预收25万亿韩元电费 网友建议提高电价
9月4日消息,据财联社报道,韩国国有电力公司韩国电力正与三星电子和SK海力士洽谈一项数十亿美元规模的电费预付款计划,以筹措资金,为新建
2026-09-04
SK海力士引入英特尔EMIB封装技术,推动下一代HBM发展
8月24日消息,据报道,SK海力士近日详细阐述了其HBM技术路线图的加速路径,核心举措包括:引入EMIB封装方案——并明确将3D集成作为长期目标
2026-08-24
三星、SK海力士、美光三巨头一个月损失10万亿市值:内存价格仍在泡沫挤压中
7月28日消息,过去一个月对于全球AI产业链而言可谓冰火两重天:内存价格飞涨,使得三星、SK海力士、美光三巨头业绩腾飞,股价暴涨;然而与
2026-07-28
SK海力士下半年量产LPDDR6:第六代10nm工艺速度提升33%
7月28日消息,据报道,SK海力士计划于2026年下半年正式启动新一代低功耗移动DRAM产品<span style="font-weight:bold;">LPDDR6< span>的量
2026-07-28
韩国绑定美国产业链:SK海力士、三星、英伟达、博通签署9500亿美元合作协议
7月25日消息,综合多家媒体报道,韩国总统李在明已于当地时间7月24日启程,开始为期11天的访问行程。首站为旧金山,停留时长共计两天。到访
2026-07-26
三星与SK海力士将签署大单!美国科技巨头抢购韩系内存市场
7月25日消息,三星电子与SK海力士被曝即将与多家美国科技公司宣布大额合作,具体内容预计包括: 战略伙伴关系 谅解备忘录 内存芯
2026-07-25
SK海力士CEO预测2027年HBM价格将翻倍
7月12日消息,据报道,SK海力士首席执行官郭鲁正(Kwak Noh-jung)近日发出预判:<strong>2027年将成为存储行业历史上供应最为紧张的一年<
2026-07-12
SK海力士65nm AI芯片能效超越A100,技术突破引发关注
7月11日消息,SK海力士、TetraMem和南加州大学联合推出了一项重要成果,发布了基于忆阻器(memristor)的存内计算(IMC)SoC(片上系统)芯
2026-07-11
SK海力士CEO警告:存储芯片短缺将持续至2030年后
7月11日消息,当地时间7月10日,SK海力士成功完成265亿美元(约1802亿元)ADR纳斯达克上市,发行价为149美元。首日收盘大涨12 76%,总市值
2026-07-11
SK海力士重启大连二厂扩建:238层NAND闪存芯片生产计划解析
7月10日消息,据TrendForce,随着全球NAND闪存市场需求回升,主要制造商在经历阶段性停滞后,正陆续恢复扩产步伐。SK海力士宣布将投资约500
2026-07-10
SK海力士265亿美元创纪录募资:美股史上最高外国企业IPO
7月10日消息,韩国存储巨头SK海力士正式确定赴美ADR发行价格:每份美国存托凭证定价149美元(约1013元人民币),合计发行1 779亿份ADR,整
2026-07-10
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