9月10日消息，据报道，中国最大DRAM厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽内存 <b>HBM3</b> 的试产，但初期良率始终无法突破，停留在 <b>25%</b> 的水平，暗讽 <i>4个里3个是废品</i>。
该媒体同时高调吹捧SK海力士同款产品，并称SK海力士自2022年起量产同类HBM3产品，良率已超过90%。半导体行业公认的量产黄金良率为80%，长鑫存储目前仅达到其三分之一。
韩媒将问题根源指向TSV硅通孔技术。报道指出，长鑫存储用于HBM的G4工艺制造的普通DRAM本身没有大问题，真正的瓶颈在于TSV。
TSV是在DRAM芯片堆叠时，在每一层钻出数千个微米级小孔并填入铜，实现垂直电气连接。孔一旦偏移或填充不完整，整层芯片即告报废。
报道援引业界数据报道也承认，长鑫存储正将少量HBM样品供应给寒武纪等中国企业，在持续改善良率的同时推进商业化进程。
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