2026-07-15 15:40:17

阿斯麦:英特尔成功实现高数值孔径EUV光刻量产应用

摘要
7月15日消息,据报道,阿斯麦宣布,英特尔代工已在Intel 18A工艺节点上,利用阿斯麦高数值孔径极紫外(High NA EUV)光刻技术,量产部分

7月15日消息,据报道,阿斯麦宣布,英特尔代工已在Intel 18A工艺节点上,利用阿斯麦高数值孔径极紫外(High NA EUV)光刻技术,量产部分Intel Core Ultra Series 3(代号Panther Lake)处理器,成为全球首家实现High NA EUV逻辑芯片高产量出货的企业。

双方表示,Intel 18A部分工艺层已完成High NA EUV双重认证,产品良率已达到现有NXE EUV平台的水平,后续将持续推进该技术在未来制程节点的应用。

18A是英特尔首个同时采用RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电技术的量产级节点,Panther Lake芯片已基于该工艺实现量产。

产能布局方面,英特尔计划将18A-P节点转移至Fab 62工厂进行长期大规模生产,14A节点预计2028年风险试产、2029年量产。

Fab 52工厂目前已部署4台ASML极紫外光刻设备。据设备业者此前透露,18A月产能预计2026年可达1万至1.5万片,2027年后有望提升至3万片水准。当前3万片的月产量已提前达成原定目标,显示出强劲的量产推进节奏。

阿斯麦:英特尔成功实现高数值孔径EUV光刻量产应用

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