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三星将封闭最后的2D NAND产线 革新晋级消费1c DRAM
2月26日消息,据报道,随着存储芯片技术持续迭代,三星正加速告别传统工艺。自2013年率先量产3D V-NAND闪存以来,三星逐步将传统的2D NAN
2026-02-26
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