10月29日消息，三星电子在三季度业绩发布电话会议上对存储业务的中期安排进行了说明：在DRAM方面，将依托技术领先优势扩大HBM4（第六代）的销售，同时HBM4E（第七代）计划于明年上半年启动量产。
公司表示，HBM4E将在明年下半年进入产量扩大阶段，也就是通常所说的产能爬坡。
这一时间表背后，是三星电子对明年需求结构的判断。公司预计，明年手机、PC等应用领域会出现一定程度的需求调整，但在AI生态持续扩张的基调下，主要超大规模云厂商仍将加大对数据中心的投入。
三星电子在会上提到，AI前沿客户正在自建数据中心，这会推动AI数据中心基础设施建设提速。换言之，消费电子端的短期波动，被AI算力侧的投资强度部分对冲。
基于这一判断，三星电子给出的应对方式是主动调整产品组合。公司称，将结合DRAM与NAND在各应用领域的需求变化以及客户提出的要求，持续推行具有前置性的产品组合策略。
需要说明的是，三星电子此次并未披露HBM4E的具体容量、堆叠层数、良率或客户名单，电话会议上的信息集中在时间表与需求判断两个层面。后续实际量产进度与爬坡速度，仍要看明年的客户认证情况与产线准备程度。
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