6月23日消息，三星电子宣布已开发出业界首款通用闪存存储（UFS）5.0产品系列，专为设备端AI优化，能够支撑设备内部的高速AI计算处理。
UFS 5.0基于三星第九代V-NAND（V9）闪存技术开发，遵循JEDEC最新嵌入式存储接口标准。
其数据传输带宽达10.8GB/s，顺序读取速度10.8GB/s，顺序写入速度9.5GB/s，较上一代UFS 4.1性能翻倍。
能效方面，UFS 5.0较上一代提升超40%。通过引入时钟门控和多电压等新技术，传输同等数据量所需功耗大幅降低。
时钟门控技术可阻断未使用电路的工作信号，多电压技术则为各电路施加最优电压，有效降低功耗与发热。
封装尺寸仅7.5mm×13mm×0.9mm，比前代缩小16.7%。更小的体积提升了移动设备、可穿戴设备及XR设备的设计灵活性与空间利用率，最高支持1TB容量。
三星计划今年第四季度启动UFS 5.0量产，供应范围将覆盖旗舰智能手机、XR头显及AI可穿戴设备等下一代终端市场。
三星电子存储器事业部高级副总裁崔章锡表示，在设备端AI时代，存储已成为决定AI体验的关键要素。
据TrendForce数据，三星电子今年第一季度以31.6%的市场份额位居NAND闪存市场榜首，营收约135亿美元，较上一季度增长104.7%。
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