Intel设计新生内存营业：ZAM单芯片最高512GB 功耗比HBM下降50%

2月4日消息，在AI基础设施建设热潮带动DRAM需求激增，全球内存供应链瓶颈持续凸显的背景下，Intel正计划重返阔别40年的DRAM内存市场。

据悉，Intel将与软银旗下子公司Saimemory达成深度合作，联合开发名为ZAM（Z-angle memory，Z角内存）的下一代内存新技术，其单芯片最高容量可达512GB，功耗较当前主流的HBM内存降低40%至50%，有望重塑AI时代全球内存市场的竞争格局。

当前，全球AI大模型训练、超大规模数据中心运算等场景，推动算力需求呈指数级攀升，高速内存已成为AI硬件体系的核心支撑。

ZAM内存技术的核心竞争力源于其创新性的架构设计。不同于传统内存的垂直布线模式，该技术采用交错互连拓扑结构，以对角线“Z字形”布线优化芯片堆叠布局，搭配铜-铜混合键合技术实现层间高效融合，最终形成类似单片芯片的一体化硅块结构。

同时，ZAM技术采用无电容设计，通过Intel成熟的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术实现与AI芯片的高速高效连接，既简化了制造工艺流程，又能有效提升存储密度、降低芯片热阻。

相较于当前AI领域主流的HBM内存，ZAM技术的优势十分突出。其单芯片最高容量可达512GB，大幅超越当前主流HBM产品。功耗降低40%-50%，可精准解决AI数据中心能耗高企的行业痛点。而Z形互连设计更能简化制造流程，为后续规模化量产奠定坚实基础。

值得一提的是，这并非Intel首次涉足DRAM领域。早年间，Intel曾是DRAM市场的重要参与者，但受日本厂商激烈竞争冲击，市场份额持续下滑，最终于1985年退出该赛道。

如今，AI产业的爆发为内存技术带来了全新发展机遇，Intel凭借自身在先进封装、芯片堆叠领域的深厚技术积累，计划凭借ZAM技术重获内存市场话语权。

不过，其最终能否成功突围，关键仍在于能否说服NVIDIA等行业领军企业采用该技术，打破现有市场格局。